光刻膠用 COC/COP是半導體先進制程(ArF/EUV)的核心樹脂，驗收指標比普通光學級嚴苛10–100倍，核心是超高純度、超低吸光、超窄分子量分布、高耐熱、低雙折射、耐化學，直接決定光刻分辨率、線寬粗糙度(LWR)與良率。

　　一、光學性能(光刻曝光核心，決定分辨率)

　　1. 曝光波長透光率

　　ArF(193nm)光刻膠：≥90% @193nm(無明顯吸收峰)

　　EUV(13.5nm)光刻膠：超低 EUV 吸光系數(<0.5 μm?1)

　　KrF/i-line：≥92% @248/365nm

　　意義：減少光損耗，保證曝光均勻性，避免圖形模糊。

　　2. 雙折射(Retardation)

　　要求：≤5 nm(面內 / 厚度方向)(EUV 級≤3 nm)

　　意義：杜絕相位延遲、色偏，保障LWR≤2 nm(EUV)。

　　3. 折射率與阿貝數

　　折射率：1.50–1.53(與光刻系統匹配)

　　阿貝數：≥55(減少色差，提升邊緣清晰度)

　　4. 霧度(Haze)

　　要求：≤0.05%(EUV)、≤0.1%(ArF)

　　意義：避免光散射，保證圖形邊緣銳利。

　　二、熱學性能(制程穩定性，決定圖形保真)

　　1. 玻璃化轉變溫度(Tg)

　　ArF 級：140–160℃

　　EUV 級：160–180℃(高 NB 含量)

　　意義：耐受 **130–150℃** 軟烘 / 硬烘，圖案不變形、不流動。

　　2. 熱膨脹系數(CTE)

　　要求：5–7×10??/℃

　　意義：與晶圓 / 基板匹配，冷熱循環無翹曲、無分層。

　　3. 熱穩定性

　　要求：400℃無明顯熱分解;150℃×2h 無黃變、無析出

　　意義：高溫制程無污染，不損傷光刻膠體系。

　　三、分子量與分布(光刻膠成膜與顯影核心)

　　1. 重均分子量(Mw)

　　ArF/EUV 主體樹脂：8,000–15,000 g/mol

　　抗反射層(BARC/ARC)：10,000–20,000 g/mol

　　2. 分子量分布(PDI = Mw/Mn)

　　要求：≤1.3(EUV)、≤1.5(ArF)

　　意義：保證涂布均勻、顯影一致、LWR 極低。

　　3. 殘留單體

　　要求：≤0.05%(500 ppm)(GC-MS)

　　意義：避免小分子揮發污染，提升存儲穩定性。

　　四、純度與雜質(半導體級紅線，決定良率)

　　1. 金屬離子殘留(最嚴指標)

　　EUV級：單種金屬≤50 ppb，總金屬≤200 ppb

　　ArF級：單種金屬≤100 ppb，總金屬≤500 ppb

　　管控元素：Na、K、Fe、Cu、Cr、Ni、Zn、Pb、Al 等

　　意義：防止催化光刻膠降解、導致器件漏電 / 短路。

　　2. 顆粒污染

　　要求：≥0.1μm 顆粒≤10 個 /mL(液體顆粒計數器)

　　意義：避免光刻圖形產生針孔、橋接缺陷。

　　3. 灰分(Ash)

　　要求：≤0.01%(850℃灼燒法)

　　意義：無無機雜質殘留，不影響刻蝕與清洗。

　　4. 水分含量

　　要求：≤50 ppm(卡爾費休法)

　　意義：防止光刻膠水解、性能漂移。

　　五、化學與工藝兼容性(光刻制程必需)

　　1. 耐溶劑性

　　要求：完全溶解于 PGMEA、環己酮、乳酸乙酯等光刻膠溶劑;不溶于 2.38% TMAH 顯影液(正膠)

　　意義：保證涂布均勻、顯影干凈、無殘留。

　　2. 堿溶性(正膠關鍵)

　　要求：曝光后在 TMAH 中快速、均勻溶解;未曝光區不溶脹、不溶解

　　意義：決定對比度、分辨率、圖形側壁垂直度(≥85°)。

　　3. 與 PAG(光產酸劑)兼容性

　　要求：無相互作用、無析出、存儲穩定(≥6 個月)

　　意義：保證光刻膠感度穩定、無暗反應。

　　4. 抗刻蝕性

　　要求：干法刻蝕選擇比≥10:1(相對于 Si/SiO?)

　　意義：作為刻蝕阻擋層，圖形不坍塌、尺寸不失真。

第四屆COC/COP技術與市場大會

　　目前，COC/COP國產化進入量產突破期，2026-2028 年將是關鍵窗口期。結構穩定性、質量批次一致性成為COC/COP樹脂量產的關鍵，裝置連續化、長周期運行是量產門檻。提高質量穩定性與突破量產瓶頸，需要單體純度、催化劑開發、聚合、純化、下游應用驗證等系統的集成優化與創新，通過全產業鏈的融合與協同革新，實現問題快速響應、工藝即時調整，滿足下游光學、藥包材、半導體的ppm 級一致性要求，滿足不斷增長的需求。

　　為提高COC/COP產業鏈協同維度，構建上下游產業共生新生態，《中國化工報》社有限公司定于2026年4月8-10日在深圳舉辦第四屆COC/COP技術與市場大會，為COC/COP提高試產合格率、加快應用驗證與優化，提高裝置有效產能搭建交流平臺。

　　一、組織機構

　　主辦單位：

　　《中國化工報》社有限公司

　　二、時間和地點

　　時間：4月8-10日(8日下午報到)

　　地點：深圳

　　三、主要議題

　　1.COC/COP聚合單體開發

　　2.COC/COP連續聚合工藝與裝備

　　3.COC/COP 連續純化工藝與裝備

　　4.全球COC/COP材料市場現狀與趨勢：賦能藥包產業高質量發展-德國肖特

　　5.催化劑及配體開發

　　6.COC/COP脫灰脫揮工藝與裝備

　　7.COP加氫催化劑開發

　　8.環烯烴光電應用現狀與發展展望-深圳信維通信

　　9.COC/COP低內應力、耐熱、增韌等改性助劑開發

　　10.COC/COP光學與半導體應用

　　主題報告繼續征集

　　四、會議費用

　　1.收取會務費3500元/人(含餐飲費、資料費、場地費等);

　　2.3月31日之前報名且匯款，優惠至3200元∕人;

　　3.珠三角光學、半導體、顯示膜公司參會費用減免

　　4.住宿統一安排，費用自理。

　　匯款信息：

　　單位名稱：《中國化工報》社有限公司

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　　五、聯系方式

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